Kurš MOSFET satur Šotkija diode? Paskaidrojums: GaAs MOSFET atšķiras no silīcija MOSFET, jo tajā ir Šotkija diode, kas atdala divus plānus n-veida apgabalus.
Kāpēc MESFET tiek izmantots GaAs?
MESFET / GaAsFET raksturlielumi
Augsta elektronu mobilitāte: Gallija arsenīda vai citu augstas veiktspējas pusvadītāju materiālu izmantošana nodrošina augstu elektronu mobilitātes līmeni, kas ir nepieciešams augstas veiktspējas RF lietojumprogrammām.
Kāda ir atšķirība starp MESFET un MOSFET?
Galvenā atšķirība starp MESFET un metāla oksīda pusvadītāju lauka efekta tranzistoru (MOSFET), kas arī ir virsmas ierīce, ir tāda, ka a MOSFET parasti ir izslēgts, līdz spriegums ir lielāks par vārtiem tiek piemērots slieksnis, savukārt MESFET parasti ir ieslēgts, ja vien… netiek pielietots liels pretējais spriegums
Kas ir GaAs MESFET?
GaAs MESFET ir metāla-pusvadītāju lauka efekta tranzistors, ko parasti izmanto ārkārtīgi augstās frekvencēs līdz 40 GHz abās lielās jaudas (zem 40 W, virs TWT). vārsti pārņem) un mazjaudas lietojumprogrammas, piemēram: Satelīta sakari. Radars. Mobilie telefoni. Mikroviļņu sakaru saites.
Kādi ir MESFET pielietojumi?
MESFET lietojumprogrammas- Kopsavilkums: Augstfrekvences ierīces, mobilie tālruņi, satelīta uztvērēji, radari, mikroviļņu ierīces. GaAs ir primāraismateriāls MESFET. GaAs ir augsta elektronu mobilitāte.
